研究背景
發(fā)展高性能電極材料用以滿足下一代鋰離子電池（LIBs）對于高能量密度方面的需求已經(jīng)成為了世界范圍內(nèi)的焦點(diǎn)問題。硅因其最高的理論容量（~4200 mAh g-1）及較合適的工作電壓（~0.4 V）被認(rèn)為是最有潛力的一類負(fù)極材料。然而，巨大的體積膨脹（~400 %）、與電解液發(fā)生嚴(yán)重的副反應(yīng)極大阻礙了硅負(fù)極的商業(yè)化進(jìn)程。一氧化硅作（SiOx）為硅負(fù)極的改進(jìn)材料，與硅相比化學(xué)性質(zhì)大幅度改善，并具有更低的體積膨脹率（~160 %），成為了替代硅負(fù)極的優(yōu)選材料。
然而，SiOx材料在實(shí)際應(yīng)用中主要有兩個關(guān)鍵問題需要解決。一是體積膨脹不可忽視，導(dǎo)致電接觸變差及顆粒粉化。另一方面是電極與電解液界面在工作電壓下的非電化學(xué)穩(wěn)定性會導(dǎo)致固體電解質(zhì)（SEI）膜的不可控生長，造成的高電子離子傳輸阻力顯著影響循環(huán)及倍率性能。在多種解決策略中，界面工程已被用于多種電極材料中并證明是一種有效提高整體性能的方法。表面包覆是一種簡單有效的提高電極/電解質(zhì)界面穩(wěn)定性的途徑，碳在近些年被認(rèn)為是有效的包覆層，但其不夠高的離子傳輸性限制了整體性能的進(jìn)一步提升，因此與其他包覆材料結(jié)合構(gòu)造復(fù)合包覆可能是一種有前景的策略。銳鈦礦型二氧化鈦（TiO2 ）具備低膨脹率、高機(jī)械穩(wěn)定性，同時(shí)脫嵌鋰時(shí)具有高電子離子傳輸性，優(yōu)良的電化學(xué)可逆性等性質(zhì)使其展現(xiàn)出作為良好復(fù)合包覆組分的巨大潛力。如果能將TiO2相包覆于SiOx表面，再輔以C作為導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，形成類鈦酸鋰電池的界面層，可能獲得性能更好的負(fù)極材料。
如果要實(shí)現(xiàn)TiO2與C的多層包覆，保證包覆均勻性是這類結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵問題。同時(shí)，因?yàn)榻缑娣€(wěn)定性往往與副反應(yīng)直接關(guān)聯(lián)，包覆對于副反應(yīng)的影響還缺乏認(rèn)識并需要進(jìn)一步的研究。進(jìn)一步地，動力電池的安全性的問題至關(guān)重要，SiOx基材料的熱行為還未有較為系統(tǒng)地報(bào)道。TiO2包覆對于SiOx基材料安全性的影響也有待更深入的考察。
文章簡介
近日，清華大學(xué)魏飛教授課題組在國際頂級期刊Nano Energy (影響因子：16.602) 上發(fā)表題為“TiO2 as a multifunction coating layer to enhance the electrochemical performance of SiOx@TiO2@C composite as anode material”的研究工作。
該工作通過前驅(qū)體轉(zhuǎn)化結(jié)合流化床化學(xué)氣相沉積（CVD）成功制備了雙層納米包覆結(jié)構(gòu)SiOx@TiO2@C復(fù)合物。具備高效傳熱傳質(zhì)特性的流化床CVD包覆能夠保證包覆均勻性和良好石墨化程度，并避免比表面積不可控生長。高結(jié)晶度銳鈦礦相TiO2層可以提高電極界面穩(wěn)定性同時(shí)緩解體積膨脹，同時(shí)TiO2層可以極大地減弱界面副反應(yīng)并顯著改善電池的循環(huán)穩(wěn)定性與離子擴(kuò)散。包覆TiO2層對于復(fù)合物熱穩(wěn)定性行為也有本質(zhì)性改善。
該文章第一作者為清華大學(xué)2020屆博士畢業(yè)生肖哲熙，魏飛教授為本文通訊作者。
要點(diǎn)解析
要點(diǎn)一：SiOx@TiO2@C的制備及微觀表征
圖1.（a）SiOx@TiO2@C復(fù)合物的制備.（b）原始SiOx的SEM照片. （c）SiOx@TiO2@C復(fù)合物的SEM照片. （d-g）SiOx@TiO2@C復(fù)合物的HR-TEM照片及對應(yīng)的不同元素EDS掃描圖片。
圖1展示了SiOx@TiO2@C復(fù)合物的制備流程，并對于其結(jié)構(gòu)做了相關(guān)微觀表征，展現(xiàn)了最終產(chǎn)物SiOx@TiO2@C的雙層包覆結(jié)構(gòu)。
圖1a展示了SiOx@TiO2@C復(fù)合物的典型制備流程。原始SiOx顆粒通過前驅(qū)體轉(zhuǎn)化反應(yīng)變?yōu)橹虚g產(chǎn)物SiOx@TiO2，再將中間產(chǎn)物導(dǎo)入流化床反應(yīng)器中，經(jīng)歷CVD過程完成碳包覆，得到最終產(chǎn)物SiOx@TiO2@C復(fù)合物。
圖1b和圖1c反映了包覆前后的顆粒形貌變化。
圖1d顯示了整體復(fù)合物呈現(xiàn)較好的分散狀態(tài)。
圖1e和圖1f展示了清晰的雙層包覆結(jié)構(gòu)，并具有高結(jié)晶度，中間層和外層的厚度分別為10 nm和5 nm。
對應(yīng)的EDS掃描圖片如圖1g所示，內(nèi)部的SiOx核被由Ti和C組成的雙層包覆。HRTEM和對應(yīng)的EDS掃描圖片確認(rèn)了雙層包覆結(jié)構(gòu)的形成。
要點(diǎn)二：SiOx@TiO2@C的表面元素狀態(tài)
圖2.SiOx@TiO2@C的不同元素XPS譜
（a）Ti 2p. （b）O 1s. （c）C 1s.（d）Si 2p。
表1. SiOx@TiO2@C的不同元素XPS譜分峰結(jié)果
圖2展示了SiOx@TiO2@C復(fù)合物的表面成分及元素化學(xué)狀態(tài)。圖2a中在458.5 eV和464.2 eV所出現(xiàn)的特征峰對應(yīng)Ti 2p3/2和Ti 2p1/2兩種化學(xué)狀態(tài)，顯示了TiO2相的成功引入。
圖2b中三種狀態(tài)的氧特征峰（529.3 eV，530.1 eV，532.3 eV）分別對應(yīng)于Ti-O、O-H、Si-O，顯示了Ti-OH和Si-O鍵的存在。
圖2c中兩種碳特征峰分別對應(yīng)C-C鍵（284.6 eV）和C=O鍵（285.5 eV），表明碳層的存在及界面上存在碳氧鍵合。
圖2d中表面存在四種化學(xué)狀態(tài)的硅，分別為處于98.9 eV的Si(0) 、102.1 eV的Si(+2) 、 102.8 eV的Si(+3) 、103.6 eV的Si(+4) 。如表1所示，Si(0)的含量只有1.8%，表明雙層包覆較完整，未有明顯的游離態(tài)Si裸露在表面。
要點(diǎn)三：SiOx@TiO2@C的材料表征
圖3.（a）SiOx、SiOx@TiO2、SiOx@TiO2@C的XRD譜圖.（b）SiOx、SiOx@TiO2、SiOx@TiO2@C的Raman譜圖.（c）SiOx、SiOx@TiO2、SiOx@TiO2@C的TGA曲線.（d）SiOx、SiOx@TiO2、SiOx@TiO2@C的N2吸附等溫線.
圖3展示了不同階段樣品的宏觀表征對比。從圖3a的XRD譜圖中，通過晶相解析，銳鈦礦相TiO2的特征峰出現(xiàn)在最后的SiOx@TiO2@C譜圖中，進(jìn)一步確認(rèn)了TiO2晶相的存在。
圖3b中的Raman譜圖，確認(rèn)了碳層的存在，同時(shí)也反映了石墨化程度的高低。較低的D峰和G峰強(qiáng)度比值（ID/IG=1.0）顯示了較好的石墨化程度，表明高質(zhì)量的碳層可以給復(fù)合物提供較好的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，利于電子在電化學(xué)反應(yīng)中的傳導(dǎo)。
圖3c中TG曲線對于復(fù)合物中的不同組分含量進(jìn)行了確認(rèn)。通過不同氣氛下的測試，TiO2的含量在4%，碳層的含量為15.8%。
圖3d中顯示了在N2氣氛下測定的氣體吸附等溫線，進(jìn)行BET處理后得到SiOx、SiOx@TiO2、SiOx@TiO2@C的比表面積分別為2.34，2.87，2.98 m2 g-1?？梢园l(fā)現(xiàn)經(jīng)過前驅(qū)體轉(zhuǎn)化及CVD包覆過程后，比表面積未有明顯增大，一直保持3 m2 g-1以下，表明包覆層致密。致密的包覆有利于阻止電解液侵蝕，提高首次庫倫效率。
要點(diǎn)四：SiOx@TiO2@C的電化學(xué)性能測試及循環(huán)后表征
圖4.（a）在電流密度1 A g-1下SiOx、SiOx@C、SiOx@TiO2@C的循環(huán)性能對比.（b）SiOx@TiO2@C的循環(huán)過程容量-電壓曲線。（c-d）在電流密度0.1-10 A g-1下SiOx、SiOx@C、SiOx@TiO2@C的倍率性能對比.（e）在電流密度2 A g-1下的全電池循環(huán).
圖4展示了SiOx@TiO2@C優(yōu)異的電化學(xué)性能。從圖4a中的循環(huán)性能對比來看，SiOx@TiO2@C電極具有1624.7 mAh g-1的首次容量， 在循環(huán)600圈后還具有1197.8 mAh g-1的可逆容量，明顯高于SiOx@C和SiOx。在首次庫倫效率方面，SiOx@TiO2@C的ICE達(dá)到81.2%，高于SiOx@C的75.1%和SiOx的49%。
在循環(huán)過程中，與其他二者顯示出的較快速衰減不同，SiOx@TiO2@C顯示出更優(yōu)良的循環(huán)性同時(shí)首次庫倫效率有明顯提升。致密均勻的包覆層可以有效緩沖內(nèi)部應(yīng)力對于整體結(jié)構(gòu)的沖擊，提升整體循環(huán)穩(wěn)定性。低比表面積能夠有效阻止電解液與內(nèi)部活性物質(zhì)接觸，降低Li+的過度消耗，同時(shí)TiO2層的引入能夠提升界面穩(wěn)定性，兩者共同使得ICE有顯著的提高。
圖4b中循環(huán)過程容量-電壓曲線也證明了SiOx@TiO2@C電極的高循環(huán)穩(wěn)定性。
圖4c和圖4d中顯示了在倍率性能上，由于TiO2的引入，SiOx@TiO2@C電極的倍率性能有顯著提升，尤其在高倍率下更為明顯。在5 A g-1和10 A g-1的高電流密度下，SiOx@TiO2@C電極能夠放出1146. 6 mAh g-1和949.7 mAh g-1的容量，顯著高于其他二者。當(dāng)電流回復(fù)到初始0.1 A g-1時(shí)，容量恢復(fù)率高達(dá)99.4%，顯示了電極的高電化學(xué)可逆性。倍率性能尤其是在大電流下的放電能力提升，可以歸因于高結(jié)晶的TiO2層引入可以為離子電子提供高速傳導(dǎo)通道，同時(shí)顯著提升界面穩(wěn)定性。
圖4e中全電池測試顯示SiOx@TiO2@C與商業(yè)化正極材料NCM811具有良好的匹配性，首次庫倫效率超過90%，首次面容量密度高達(dá)2.6 mAh cm-2，循環(huán)100圈后仍有約2 mAh cm-2的較高面容量密度水平。上述電化學(xué)測試結(jié)果顯示了SiOx@TiO2@C具備優(yōu)異的半電池及全電池性能。
圖5. 循環(huán)前后電極形貌對比（a）循環(huán)50圈后SiOx電極形貌SEM圖.（b）循環(huán)600圈后SiOx@TiO2@C電極形貌SEM圖.（c）循環(huán)600圈后SiOx@TiO2@C電極 TEM圖. SiOx@TiO2@C電極的循環(huán)前后電極厚度對比：（d）循環(huán)前，（e）循環(huán)600圈后.
圖5展示了循環(huán)前后電極的形貌對比。
圖5a中可以明顯看出SiOx電極僅循環(huán)50圈后電極就出現(xiàn)明顯的結(jié)塊及皸裂現(xiàn)象，表明電極經(jīng)歷了嚴(yán)重的結(jié)構(gòu)破壞。而圖5b中SiOx@TiO2@C電極經(jīng)歷600圈循環(huán)后，電極表面結(jié)塊現(xiàn)象減輕，同時(shí)未有明顯的開裂現(xiàn)象，表明經(jīng)過長循環(huán)過程電極未經(jīng)歷明顯破壞。通過對循環(huán)后的電池進(jìn)行拆解，對于循環(huán)后活性物質(zhì)進(jìn)行TEM觀測可以看出，不同層界限依舊清晰可辨，同時(shí)晶格較為完好未有顯著變化，證明了整體結(jié)構(gòu)未有顯著破壞。
對于循環(huán)前后的電極厚度進(jìn)行對比，如圖5d和5e所示，循環(huán)前后的極片厚度變化率為16.7%，滿足低于20%的實(shí)用要求。上述結(jié)果從另一角度印證了TiO2的引入可以顯著提高界面穩(wěn)定性，整體結(jié)構(gòu)在長循環(huán)過程中具備高穩(wěn)定性。
要點(diǎn)五：SiOx@TiO2@C的動力學(xué)表征分析
圖6. （a）SiOx、SiOx@C、SiOx@TiO2@C的EIS譜圖及等效電路示意圖.（b）阻抗實(shí)部Z’vs角頻率負(fù)平方根ω-0.5的線性擬合.（c）SiOx、SiOx@C、SiOx@TiO2@C的表觀化學(xué)擴(kuò)散系數(shù)DLi+對比.（d）SiOx@TiO2@C的不同掃速下CV曲線.（d）對應(yīng)的b指數(shù)擬合結(jié)果.（e）不同掃速下電容貢獻(xiàn)在總?cè)萘恐械谋壤兓?
為了進(jìn)一步理解SiOx@TiO2@C電極倍率性能尤其是在大電流下的放電能力提升，對于電極動力學(xué)性質(zhì)和電荷儲存機(jī)理做了更為深入的探究。通過電化學(xué)阻抗譜（EIS）和循環(huán)伏安曲線（CV）對于電化學(xué)反應(yīng)做研究。
圖6a顯示的三種材料EIS譜圖對比及對于Nyquist曲線進(jìn)行了等效電路擬合，獲得的電荷轉(zhuǎn)移阻抗（Rct）部分的結(jié)果來看，SiOx@TiO2@C的Rct為57.6 Ω，顯著低于其他二者，可以歸因于TiO2的引入提升了界面穩(wěn)定性。
進(jìn)一步，我們對于EIS譜圖中直線擴(kuò)散部分?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行了擬合，如圖6b所示，利用得到的σ對于表觀化學(xué)擴(kuò)散系數(shù)進(jìn)行了計(jì)算。
如圖6c所示，SiOx@TiO2@C的表觀化學(xué)擴(kuò)散系數(shù)DLi+為1.60×10-12 cm2 s-1，與SiOx相比提高了超過60倍。這一結(jié)果表明TiO2的引入對于Li+的擴(kuò)散有顯著促進(jìn)作用。對于表觀化學(xué)擴(kuò)散系數(shù)的顯著提升，我們認(rèn)為SiOx@TiO2@C由于TiO2的引入界面穩(wěn)定性有明顯提高，可以獲得更加穩(wěn)定更薄的SEI層，使得離子在這部分的擴(kuò)散阻力顯著降低，進(jìn)而整體擴(kuò)散阻力降低。
圖6d中對于SiOx@TiO2@C電極做了不同掃速CV測試，對于還原過程和氧化過程中的峰值電流與掃速進(jìn)行擬合，獲得的還原過程和氧化過程動力學(xué)指數(shù)b分別為0.86和0.88，如圖6e中所示。
接近0.9的b指數(shù)表明電極動力學(xué)過程主要為表面介導(dǎo)行為控制。對于不同掃速下電容貢獻(xiàn)部分計(jì)算對比得到的結(jié)果如圖6f所示，隨著掃速的提升，電容貢獻(xiàn)部分比例逐步提高，在1.0 mV s-1的掃速下，達(dá)到81.6%，進(jìn)一步顯示了表面介導(dǎo)行為在電極動力學(xué)中占主導(dǎo)地位。
上述對于電極動力學(xué)的表征分析表明TiO2層不僅可以提供高效傳輸通道加快離子電子傳輸，同時(shí)可以提升界面穩(wěn)定性保證導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的完整性，改善電極整體動力學(xué)行為，很好地解釋了倍率性能的提升。
要點(diǎn)六：TiO2包覆層對于界面副反應(yīng)的影響
圖7.與電解液反應(yīng)后的XRD譜圖 （a）SiOx，(b) SiOx@C,（c）SiOx@TiO2@C.（d）SiOx，SiOx@C，SiOx@TiO2@C副反應(yīng)活化能擬合對比. （e）與電解液反應(yīng)能量變化圖. （f）TiO2層作為多功能包覆層示意圖.
更穩(wěn)定的界面往往與界面反應(yīng)變化密切相關(guān)，但相關(guān)的研究還較為缺乏。我們設(shè)計(jì)了水熱反應(yīng)實(shí)驗(yàn)對于電極與電解液的副反應(yīng)做探究。反應(yīng)后的產(chǎn)物XRD譜圖如圖7a-c所示。可以看到在43°出峰的Li2SiF6相出現(xiàn)，證明了副反應(yīng)的存在。對于SiOx，Li2SiF6峰強(qiáng)最高，表明與電解液的副反應(yīng)最為嚴(yán)重。
于SiOx@C，Li2SiF6峰強(qiáng)有所減弱，表明包覆碳層作為保護(hù)層降低副反應(yīng)影響。而引入TiO2層后，可以看到Li2SiF6峰強(qiáng)進(jìn)一步減弱，而且基本不隨溫度發(fā)生變化。通過XRD譜圖中Li2SiF6特征峰強(qiáng)結(jié)合Arrhenius方程對于副反應(yīng)進(jìn)行活化能擬合，得到的結(jié)果如圖7d所示。對于SiOx@TiO2@C，副反應(yīng)活化能Ea最高，為2.282 eV，明顯高于SiOx@C的1.956 eV和SiOx的1.618 eV。
上述結(jié)果從副反應(yīng)角度表明TiO2層引入對于界面穩(wěn)定性的提升，能夠顯著提高副反應(yīng)能壘。如圖7f所示，TiO2層在電化學(xué)反應(yīng)中的作用被更進(jìn)一步地認(rèn)識，不僅可以作為結(jié)構(gòu)緩沖層提高整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，促進(jìn)電子離子傳輸，還可以作為保護(hù)層提高副反應(yīng)能壘增強(qiáng)副反應(yīng)抗性。
要點(diǎn)七：TiO2包覆層對于電極安全性的影響
圖8. (a) 全嵌鋰態(tài)下SiOx，SiOx@C，SiOx@TiO2@C的DSC曲線，(b) 累計(jì)熱流曲線，(c）放熱量對比.
在發(fā)展高容量電極過程中，安全性是其中的一個關(guān)鍵指標(biāo)，尤其是在實(shí)際電池體系中更為重要。我們利用DSC曲線來分析電極在電化學(xué)反應(yīng)中的熱行為。
在完全嵌鋰態(tài)（100%SOC）下測定的DSC曲線如圖8a所示，可以看到在350-400℃下出現(xiàn)明顯的放熱峰，峰強(qiáng)度達(dá)到12 W g-1，表明SiOx與電解液反應(yīng)存在明顯的熱效應(yīng)，對于發(fā)展SiOx基材料來說存在巨大的安全隱患。
包覆碳層后，放熱峰強(qiáng)度減少幅度有限（10.8 W g-1），表明碳層包覆對于限制熱效應(yīng)作用不明顯。而引入TiO2層后，SiOx@TiO2@C的放熱峰強(qiáng)降低為1.6 W g-1，與未包覆時(shí)相比減小了6倍左右。
圖8b和8c比較并計(jì)算了累計(jì)熱流量，對于SiOx@TiO2@C，其放熱量為0.51 KJ g-1，明顯低于SiOx的2.38 KJ g-1和SiOx@C的2.15 KJ g-1。放熱量降低了4倍，顯示了SiOx@TiO2@C的安全性顯著提升。
我們提出了整體安全性顯著提升的可能原因，TiO2的引入使得界面穩(wěn)定性提高， TiO2相自身也具備很好的熱穩(wěn)定性，同時(shí)，低比表面積限制了SEI的生長抑制了副反應(yīng)，共同提高了整體安全性。上述結(jié)果表明銳鈦礦相TiO2層對于熱穩(wěn)定性提升具有積極作用。
結(jié) 論
在此工作中，我們用前驅(qū)體轉(zhuǎn)化結(jié)合流化床CVD過程成功制備了SiOx@TiO2@C復(fù)合物作為高性能鋰離子電池負(fù)極材料。通過銳鈦礦相TiO2層引入，復(fù)合物的電子離子傳導(dǎo)阻力顯著下降，并首次研究了其對于界面副反應(yīng)的影響以及在電極安全性方面的作用。雙包覆結(jié)構(gòu)復(fù)合物呈現(xiàn)出優(yōu)異的半電池和全電池性能。高結(jié)晶度的TiO2層具有致密及均勻性，能夠顯著提升界面穩(wěn)定性，不僅可以作為緩沖層有效降低內(nèi)應(yīng)力對于結(jié)構(gòu)的沖擊破壞，還可以提供高效傳輸通道加快離子電子傳遞，改善電極動力學(xué)行為，同時(shí)可作為保護(hù)層顯著提高副反應(yīng)能壘增強(qiáng)副反應(yīng)抗性，還能夠提高電極整體安全性。我們的研究希望可以對于表面包覆及發(fā)展高性能負(fù)極材料提供一些新思路及認(rèn)識。
文章鏈接:
TiO2 as a multifunction coating layer to enhance the electrochemical performance of SiOx@TiO2@C composite as anode materialhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211285520306595
第一作者及導(dǎo)師介紹:
通訊作者：魏飛 教授
清華大學(xué)化學(xué)工程系教授，綠色反應(yīng)工程與工藝北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任。中國顆粒學(xué)會能源顆粒材料專業(yè)委員會主任，發(fā)表論文600余篇，SCI他引4萬余次，是湯森路透近五年材料領(lǐng)域高被引科學(xué)家之一，獲教育部“長江學(xué)者”特聘教授、國家杰出青年基金等。主要研究方向?yàn)榱鲬B(tài)化、多相催化、碳納米材料及其應(yīng)用。
第一作者：肖哲熙 博士
清華大學(xué)化學(xué)工程系2014級博士，2020年6月畢業(yè)并取得工學(xué)博士學(xué)位。在學(xué)期間主要從事硅基負(fù)極材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、性能研究和電極失效機(jī)理分析。在Nano Energy， Energy Storage Materials等期刊上發(fā)表SCI論文6篇（一作4篇），授權(quán)1項(xiàng)發(fā)明專利。本科畢業(yè)于北京化工大學(xué)化學(xué)工程學(xué)院化學(xué)工程與工藝專業(yè)。曾獲企業(yè)獎學(xué)金、國家獎學(xué)金等榮譽(yù)。
課題組鏈接:
魏飛教授團(tuán)隊(duì)長期致力于化學(xué)工程與新材料的研究。在新能源領(lǐng)域，利用流化床技術(shù)制備出的陣列碳納米管作為鋰離子電池導(dǎo)電劑，已大規(guī)模應(yīng)用于商用鋰離子電池中，并形成萬噸級碳納米管鋰離子電池導(dǎo)電漿料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)。結(jié)合大化工與新材料技術(shù)背景，近年來在電池材料尤其是硅基負(fù)極材料的制備與性能研究方面開展工作。
