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西安交大科研人員在無鉛介電儲能薄膜電容器研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

作者:中國儲能網(wǎng)新聞中心 來源:西安交大 發(fā)布時(shí)間:2022-01-15 瀏覽:次

中國儲能網(wǎng)訊:高功率密度的介電電容器被廣泛應(yīng)用于脈沖功率系統(tǒng)、電動汽車、石油鉆井等領(lǐng)域。隨著新型電子電學(xué)系統(tǒng)不斷集成化、微型化以及應(yīng)用領(lǐng)域的多元化,對儲能介電電容器提出了“高溫化、高儲能密度和高儲能效率”的“三高”要求。然而,高溫化始終伴隨著擊穿場強(qiáng)和介電常數(shù)的下降,導(dǎo)致高溫化和高儲能特性無法共存。因此,如何在高溫區(qū)阻止介電常數(shù)、擊穿場強(qiáng)的下降成為獲得高溫高儲能特性的關(guān)鍵。


針對這一問題,西安交通大學(xué)金屬材料強(qiáng)度國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室馬春蕊副教授與微電子學(xué)院劉明教授合作,通過選取17 mol% HfO2摻雜BaTiO3、1 mol% SiO2摻雜BaZr0.35Ti0.65O3和0.85BaTiO3-0.15Bi(Mg0.5Zr0.5)O3三種無鉛鈦酸鋇基材料構(gòu)建了一種應(yīng)變和介電常數(shù)雙梯度的儲能薄膜電容器。以介電常數(shù)梯度來平衡薄膜中電場的分布,減緩電子在薄膜中的傳輸,提高擊穿強(qiáng)度。以應(yīng)變梯度來提升高溫區(qū)的介電常數(shù),實(shí)現(xiàn)介電常數(shù)寬溫區(qū)內(nèi)的穩(wěn)定性。在應(yīng)變和介電常數(shù)雙梯度的協(xié)同作用下,使得無鉛鈦酸鋇基薄膜電容器的工作溫區(qū)提升至350℃,明顯高于現(xiàn)有商業(yè)X8R, X9R電容器的工作溫度。這一設(shè)計(jì)具有很強(qiáng)的普適性,為進(jìn)一步提高介電電容器的高溫儲能特性開辟了新的途徑。

上述研究成果以《應(yīng)變和介電常數(shù)雙梯度提高無鉛鈦酸鋇基薄膜高溫儲能特性》(Ultrahigh Temperature Lead-Free Film Capacitors via Strain and Dielectric Constant Double Gradient Design)為題發(fā)表在Small上,該工作是材料學(xué)院碩士生范江奇與博士生胡天翼在馬春蕊副教授指導(dǎo)下完成的。感謝微電子學(xué)院賈春林教授、馬傳生工程師在微觀結(jié)構(gòu)表征方面的支持。材料學(xué)院馬春蕊副教授與微電子學(xué)院劉明教授為該文章的通訊作者。西安交通大學(xué)金屬強(qiáng)度國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室為該論文的第一作者和通訊作者單位。該研究得到國家自然科學(xué)基金、國家“973”項(xiàng)目、西安交大青年拔尖人才計(jì)劃等項(xiàng)目的資助。

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關(guān)鍵字:薄膜電容器

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