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合肥研究院在新型薄膜太陽電池研究方面取得進(jìn)展

作者:中國儲能網(wǎng)新聞中心 來源:數(shù)字儲能網(wǎng) 發(fā)布時間:2015-06-23 瀏覽:次

中國儲能網(wǎng)訊:中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院安徽光學(xué)精密機(jī)械研究所激光技術(shù)中心功能薄膜材料研究室王時茂等研究人員在量子點敏化太陽電池(QDSCs)光陽極中量子點的分布和CuxS(硫化銅)對電極研究方面取得新進(jìn)展。

在QDSCs光陽極中量子點的分布規(guī)律研究方面,研究人員通過研究CdS(硫化鎘)和CdSe(硒化鎘)量子點共敏化的TiO2(氧化鈦)納米顆粒光陽極中Cd(鎘)、S(硫)、Se(硒)三種元素在薄膜中的濃度分布,及不同厚度光陽極中量子點的平均尺寸,建立了氧化鈦光陽極中量子點的分布模型(圖1);根據(jù)該模型,提出了優(yōu)化氧化鈦光陽極微結(jié)構(gòu)的三種途徑,并對氧化鈦光陽極的厚度進(jìn)行了優(yōu)化。使用優(yōu)化后的氧化鈦光陽極和Pt(鉑)對電極制備的QDSCs獲得了3.26±0.10%的光電轉(zhuǎn)換效率。該研究工作建立了量子點在氧化鈦光陽極中的分布模型,對于氧化鈦光陽極的進(jìn)一步優(yōu)化,提高QDSCs的光電轉(zhuǎn)換效率具有重要價值。該成果發(fā)表在Journal of Power Sources(2015, 273, 645-653)上。

在QDSCs對電極的研究領(lǐng)域,引入了真空熱蒸發(fā)鍍膜(VTE)技術(shù),在FTO(摻氟的氧化錫)導(dǎo)電玻璃基底上制備了CuxS(x=1-2)對電極,研究了VTE-CuxS對電極的催化活性、穩(wěn)定性及電池的光伏性能。結(jié)果顯示,VTE-CuxS對電極催化活性(圖2)和穩(wěn)定性(圖3)均優(yōu)于常用的黃銅片基底Cu2S對電極和Pt對電極。該研究工作實現(xiàn)了FTO玻璃基底上CuxS對電極的制備,解決了基底易被腐蝕的問題,并且VTE技術(shù)可實現(xiàn)對電極的大面積制備,可以滿足未來QDSCs商業(yè)化生產(chǎn)的需要。研究論文發(fā)表在Electrochimica Acta (2015, 154, 47-53)上。

此外,該研究室近年來一直致力于染料敏化太陽電池(DSCs)和QDSCs等新型薄膜太陽電池的研究,在一維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)(納米線、納米棒、納米管、納米花)陣列的合成及其在DSCs和QDSCs中的應(yīng)用方面也取得了一系列進(jìn)展,發(fā)表研究論文多篇,其中在用于背照射DSCs的Ti(鈦)片基底TiO2納米線陣列光陽極和FTO基底金紅石相氧化鈦單晶納米棒陣列光陽極方面研究的進(jìn)展也發(fā)表于Journal of Power Sources(J. Power Sources, 2010, 195, 2989-2995;J. Power Sources, 2013, 235, 193-201)。

上述研究工作得到了國家自然科學(xué)基金、“973”計劃和中科院新型薄膜太陽電池重點實驗室的支持。

 

圖1. TiO2納米顆粒薄膜光陽極中CdS/CdSe量子點的分布模型

 

圖2. Pt、Brass-Cu2S和VTE-CuxS三種對電極對稱結(jié)構(gòu)電池的Tafel曲線 

 

圖3. Pt、Brass-Cu2S和VTE-CuxS三種對電極的循環(huán)伏安曲線

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