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超高壓下半導(dǎo)體材料可變身拓?fù)浣^緣體

作者:中國儲(chǔ)能網(wǎng)新聞中心 來源:科技日報(bào) 發(fā)布時(shí)間:2013-12-15 瀏覽:次

中國儲(chǔ)能網(wǎng)訊:據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)12月13日(北京時(shí)間)報(bào)道,一個(gè)由中國吉林大學(xué)、美國華盛頓卡內(nèi)基研究所等單位研究人員組成的國際小組合作,通過對一種半導(dǎo)體施加壓力,將其轉(zhuǎn)變成了“拓?fù)浣^緣體”(TI)。這是首次用壓力逐漸“調(diào)節(jié)”一種材料,讓它變成了拓?fù)浣^緣狀態(tài),也為先進(jìn)電子學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ふ襎I材料開辟了新途徑。相關(guān)論文在線發(fā)表于《物理評論快報(bào)》上。

拓?fù)浣^緣體內(nèi)部絕緣而表面或邊緣能導(dǎo)電,具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì)。目前,研究人員能通過摻雜(加入少量其他元素)或“種植”(在基質(zhì)上生長一個(gè)樣本,基質(zhì)是經(jīng)過選擇的,以引入結(jié)構(gòu)系,樣本在生長過程中會(huì)有輕微結(jié)構(gòu)改變)的方法引發(fā)拓?fù)浣^緣態(tài),這兩種方法都能改變電子行為,使一種材料表現(xiàn)得像TI材料,但它們還有其他問題。摻雜往往會(huì)帶來缺陷,使材料性質(zhì)不均一;基質(zhì)誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)系產(chǎn)生的TI材料不能連續(xù)調(diào)節(jié),也無法可控地研究材料是怎樣從普通絕緣體轉(zhuǎn)變?yōu)橥負(fù)浣^緣體的。

用壓力避免了這些缺點(diǎn)。該實(shí)驗(yàn)在布魯克海文國家實(shí)驗(yàn)室的國家同步加速器光源(NSLS)上進(jìn)行,研究中所用的半導(dǎo)體是一種鉍、碲和碘的化合物(BiTeI)。研究人員給一個(gè)BiTeI樣本施加了10GPa(大致相當(dāng)于10萬倍大氣壓)的壓力,并用NSLS的X-射線衍射和紅外光譜兩種光束技術(shù)跟蹤觀察其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電子的變化。分析顯示,BiTeI在壓力范圍2GPa到8GPa時(shí)變成了拓?fù)浣^緣體。

“擴(kuò)充拓?fù)浣^緣材料家族非常困難?!闭撐牡谝蛔髡?、布魯克海文實(shí)驗(yàn)室研究助理奚瀟湘(音譯)說,“實(shí)驗(yàn)表明,壓力是引起拓?fù)浣^緣相態(tài)的一種有效方式,這一技術(shù)對研究從普通材料到TI材料的相態(tài)轉(zhuǎn)變也非常有用。”

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