格林在發(fā)表演講 （點(diǎn)擊放大）
在硅上形成其他材料 （點(diǎn)擊放大）
格林演講題目為“以硅晶圓為基材的串聯(lián)電池單元或成為終極光伏發(fā)電解決方案”（Silicon Wafer-Based Tandem Cells: The Ultimate Photovoltaic Solution？），他提出的方法是在硅上形成其他材料制成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。格林表示，只用硅材料時(shí)，電池單元轉(zhuǎn)換效率存在極限，只能達(dá)到29％，而在硅上重疊其他材料則可達(dá)到42.5％，如果在上面再重疊其他材料還可進(jìn)一步達(dá)到47.5％。
作為候選材料，格林舉出了航天用途及聚光系統(tǒng)使用的GaAs等III-V族材料、不使用In的薄膜化合物型太陽能電池使用的CZTS，以及在染料敏化太陽能電池中備受關(guān)注的鈣鈦礦構(gòu)造的材料。具體的研究結(jié)果雖未公開，不過格林表示，這些材料在轉(zhuǎn)換效率及成本等方面均各有優(yōu)缺點(diǎn)。參加了會(huì)議的一位太陽能電池廠商技術(shù)人員表示:“作為超越硅極限的一個(gè)方向，我們也在考慮相關(guān)方案。”（《日經(jīng)電子》記者：河合基伸）
