該準(zhǔn)則規(guī)定每座光伏項目裝機量至少在10MW以上，最大裝機量已定為50MW。此外，電站裝機量仍維持在10MW的倍數(shù)。印度太陽能協(xié)會（Solar Energy Corporation of India，簡稱 SECI）將負(fù)責(zé)賈瓦哈拉爾·尼赫魯國家太陽能計劃第二批的電力采購事宜。今年2月，據(jù)媒體報道，過去三年以來，印度新能源與可再生能源部門已經(jīng)下?lián)芰?.172 GW的并網(wǎng)光伏項目,其中369MW的電站項目已經(jīng)交付。
按照印度的可行性缺口資金（VGF）機制，今后25年，項目開發(fā)商可獲得每千瓦時5.45印度盧比（約合0.10美元）的固定補貼費率。如果電站項目按照加速折舊法計算補貼，那么補貼費率將削減10%，至每千瓦時4.95印度盧比（約合0.09美元）。VGF的上限是電站項目總成本的30%，或者是每兆瓦461,425美元，后者補貼額度更低。
不同于賈瓦哈拉爾·尼赫魯國家太陽能計劃一期，如今實施的VGF模式采用了逆向招標(biāo)模式來甄選光伏發(fā)電項目。
此外，該項準(zhǔn)則聲稱，一些電站裝機量將用于“國內(nèi)產(chǎn)品含量規(guī)定”（DCR）招標(biāo)項目，該規(guī)定要求項目所采用的電池片及組件需在印度制造。
咨詢機構(gòu)RESolve Energy Consultants的Hari Manoharan補充道，上述公告為項目開發(fā)商對VGF流程有了更加深入的了解。他在報告中寫道，有趣的是，“國內(nèi)產(chǎn)品含量規(guī)定”并不會全面實施。該項規(guī)定并沒有聲稱其僅僅適用于晶體硅技術(shù)，而只是建議了技術(shù)的選擇范圍，即薄膜或晶體硅技術(shù)可能將包含于該項政策范圍內(nèi)。
四月底前，該項草案將接受公眾的意見和建議，最終才能獲得定稿。
