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金剛線切割后的多晶技術(shù)在硅片端的發(fā)展方向

作者:中國儲(chǔ)能網(wǎng)新聞中心 來源:光伏們 發(fā)布時(shí)間:2017-10-26 瀏覽:次

中國儲(chǔ)能網(wǎng)訊:2016年至今,金剛線切割已經(jīng)在多晶領(lǐng)域得到充分利用,目前國內(nèi)幾家大的切片公司幾乎90%的多晶切片都是金剛線切割,但面對平價(jià)上網(wǎng)的大趨勢,如何進(jìn)一步發(fā)揮多晶電池的高性價(jià)比優(yōu)勢,增強(qiáng)多晶硅太陽電池路線的競爭力受到業(yè)界的普遍關(guān)注。保利協(xié)鑫科技管理部總經(jīng)理汪晨博士在10月18日的中國光伏大會(huì)上基于保利協(xié)鑫金剛線切多晶硅片及濕法黑硅制絨進(jìn)展,分析了金剛線切單晶/多晶硅片的發(fā)展變化及存在的問題,并根據(jù)多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)從硅片端指出未來的技術(shù)走向。

金剛線切單晶/多晶硅片變化趨勢

從2011年單晶嘗試使用金剛線切割開始,僅用了四年的時(shí)間,2015年底國內(nèi)單晶產(chǎn)能幾乎全部實(shí)現(xiàn)金剛線的應(yīng)用。

相比之下,多晶領(lǐng)域是在2012年開始研究金剛線的應(yīng)用,直到2015年砂線機(jī)改造及切片才取得突破,為大規(guī)模應(yīng)用奠定了基礎(chǔ);2016年結(jié)合添加劑/黑硅技術(shù),金剛線切片產(chǎn)能滲透率大幅上升;汪晨博士做出預(yù)測,2018年全行業(yè)金剛線切多晶產(chǎn)能將達(dá)90%以上。

從汪晨博士對比的金剛線硅片和砂線硅片可以看出:切割損耗是大幅度降低的,同時(shí)切片的進(jìn)始速度也是大幅提升,產(chǎn)能基本上翻了一倍。雖然切片良率金剛線偏低,但良率低并不意味著出片數(shù)低,從出片數(shù)看金剛線切割高于砂線,因?yàn)榻饎偩€表面比較光滑,它切割的時(shí)候損傷率更淺,所以它的TTV和損傷層下降,加工成本方面兩個(gè)相差0.25元/片,但實(shí)際上包含硅耗在內(nèi)的垂直成本差距達(dá)0.5元/片以上。

金剛線的挑戰(zhàn)

金剛線的應(yīng)用雖然給光伏行業(yè)帶來機(jī)遇與進(jìn)步,但也面臨著挑戰(zhàn)。早期應(yīng)用的金剛線線徑是120μm,到目前為止多晶已經(jīng)大規(guī)模應(yīng)用70μm線徑的金剛線。單晶方面,60μm、65μm線切的金剛線正在更快得推廣,最終可達(dá)到60甚至55μm。在汪晨博士看來,多晶也會(huì)緊跟著把線徑降低。對此,金剛線本身的發(fā)展方向是高圓度即良好的線外徑等效圓度、高耐磨即良好的自銳性、高密度即更多、更均勻的金剛石顆粒、低線徑即更低的切割損耗、低斷線即更好的抗扭轉(zhuǎn)耐疲勞性能。

硅片切片用金剛線有電鍍線和樹脂線,現(xiàn)階段,電鍍線占絕對統(tǒng)治地位。汪晨博士指出,后續(xù)樹脂線可能會(huì)慢慢淡出,但樹脂線也有機(jī)會(huì)通過技術(shù)改造降低與電鍍線的差距,所以其不會(huì)完全被淘汰。

金剛線多晶片的酸制絨問題

切割以后的多晶片在應(yīng)用時(shí)主要存在的是酸制絨的問題,汪晨博士展示了金剛線和砂漿線制絨的形貌差異,金剛線酸制絨的表面特點(diǎn)是:損傷層淺、光亮表面的溝壑式結(jié)構(gòu)。這使得它在具有VOC提升、鈍化效果優(yōu)、線痕淺、斷柵風(fēng)險(xiǎn)低等優(yōu)點(diǎn)的同時(shí),也有起絨點(diǎn)少、表面陷光差、絨面均勻性差等難以避免的缺點(diǎn)。

金剛線多晶硅片的制絨解決方案

目前金剛線多晶硅片的制絨解決方案有三個(gè)方向:制絨添加劑、濕法黑硅、干法黑硅。干法黑硅做出來效果最好,但其顯著缺點(diǎn)是設(shè)備投入太大,還需要前后道設(shè)備的配合。其提升效率大概在0.4-0.6%,但單片成本稍高,為0.3-0.4元/片;

濕法黑硅電池效率提升0.3-0.5%,相對干法投入成本少,濕法黑硅技術(shù)的單片成本約為0.15-0.2元/片,僅為干法黑硅的一半左右,目前占市場份額比較大;與濕法黑硅技術(shù)相比,制絨添加劑法雖然也可解決金剛線切多晶硅片的制絨問題,但其外觀表面有晶花,且對電池效率沒有任何提升,電池效率甚至較砂線切割硅片略低,因此綜合性價(jià)比不高

協(xié)鑫濕法黑硅技術(shù)發(fā)展歷程

汪晨博士回顧到,保利協(xié)鑫從2013年10月開始濕法黑硅實(shí)驗(yàn)室的建設(shè),2015年5月完成實(shí)驗(yàn)室小試,12月份開始一條中試線投產(chǎn),到2016年10月量產(chǎn)機(jī)設(shè)計(jì)完成,最終于2017年2月份在揚(yáng)州正式投產(chǎn)其黑硅電池片生產(chǎn)線。2017年6月,揚(yáng)州工廠產(chǎn)能達(dá)到300MW;10月,2GW(20條線)項(xiàng)目落成,預(yù)計(jì)11月份可以全部達(dá)產(chǎn)。

協(xié)鑫濕法黑硅電池

汪晨博士為保利協(xié)鑫的產(chǎn)品感到自豪,“采用保利協(xié)鑫‘鑫絨面’技術(shù)制備的黑硅片,硅片表面孔型結(jié)構(gòu)更優(yōu)、電池轉(zhuǎn)化效率更高、工藝穩(wěn)定性好,產(chǎn)品外觀無晶花困擾,整體絨面均勻。保利協(xié)鑫多晶黑硅片提升下游電池轉(zhuǎn)化效率0.3-0.5%,可以為下游客戶提供表面均勻、無晶花的完美黑硅技術(shù)?!?

汪晨博士表示,據(jù)多家電池客戶批量反饋,TS系列黑硅片普遍可實(shí)現(xiàn)0.3%以上的電池效率提升,部分客戶小批量電池效率增益超過0.35%,疊加PERC后效率增益(較多晶普通PERC)超過0.4%。

協(xié)鑫濕法黑硅技術(shù)下的多晶組件

采用保利協(xié)鑫黑硅片制備的組件,不僅組件外觀更美觀,其功率增益也比較明顯,常規(guī)電池工藝下的濕法黑硅組件可達(dá)到280Wp以上。

由于“背鈍化”和“黑硅陷光”的結(jié)合,多晶黑硅疊加PERC技術(shù)后的效率提升比單純使用黑硅、PERC的效率增益之和還要高,起到了“1+1>2”的效果。綜合可知,金剛線切多晶硅片+濕法黑硅+PERC組合可以顯著提升多晶產(chǎn)品的性價(jià),為285-290Wp/60片多晶組件的制備提供了可靠技術(shù)途徑。

與砂線切+普通電池工藝的單位成本(單位:元/瓦)相比,金剛線切多晶+濕法黑硅+PERC的電池制造成本僅為其92.7%,而金剛線切多晶+添加劑制絨+PERC則為其93.5%,金剛線切多晶+濕法黑硅+PERC組合提升了性價(jià)比。

汪晨博士認(rèn)為,雖然金剛線切割技術(shù)、濕法黑硅技術(shù)具有很大潛力,但后續(xù)多晶技術(shù)也不完全只依賴于此,在晶體生長環(huán)節(jié)還要持續(xù)進(jìn)步。

晶體生長環(huán)節(jié)持續(xù)進(jìn)步

下一代高效多晶產(chǎn)品開發(fā)

保利協(xié)鑫研發(fā)團(tuán)隊(duì)的小試實(shí)驗(yàn)顯示:基于黑硅+PERC工藝,試驗(yàn)片在客戶端電池產(chǎn)線效率可達(dá)20.45%以上,60片電池的組件主流檔位可達(dá)290W以上。后續(xù)需要進(jìn)行的,一方面是晶體生長工藝的持續(xù)研發(fā)改進(jìn),控制長晶后期的位錯(cuò)增值,提升一定的質(zhì)量。另外一方面是配合PERC工藝,確定最佳目標(biāo)電阻率以及電阻率范圍。

類單晶技術(shù)方向持續(xù)研發(fā)

保利協(xié)鑫為類單晶的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)投入了數(shù)年的精力和巨大的研發(fā)費(fèi)用。客戶端反映,類單晶采用單晶堿制絨,效率與直拉單晶相比差距約為0.6%,但在效率分布上,其低效比例高達(dá)3.2%(<19.2%),這是需要后期持續(xù)改進(jìn)的。另外也存在鑄錠單晶或者類單晶在生產(chǎn)階段位錯(cuò)增殖過快,控制難度高;鑄錠良率偏低;電池外觀存在晶花等問題需要解決。

從汪晨博士的分析可以總結(jié)成以下幾個(gè)要點(diǎn):

1、金剛線切割多晶硅片+黑硅技術(shù)的普及將再次拉大多晶與單晶在硅片端的成本差距;

2、金剛線切多晶硅片+黑硅技術(shù)+PERC電池工藝的組合可以進(jìn)一步提升多晶硅電池的量產(chǎn)效率,增強(qiáng)多晶硅太陽電池路線的競爭力;

3、預(yù)計(jì)光伏市場對電池及組件成本降低以及效率提升方面的需求,將為金剛線切割和黑硅技術(shù)帶來良好的市場機(jī)遇;

4、鑄錠技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步,可持續(xù)提升多晶硅片尤其是金剛線多晶硅片的性價(jià)比。

責(zé)編:張珊珊

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