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鐵酸鉍單晶首次被集成到硅片

作者:中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng)新聞中心 來(lái)源:科技日?qǐng)?bào) 發(fā)布時(shí)間:2013-11-25 瀏覽:次

中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng)訊:美國(guó)北卡羅來(lái)納州立大學(xué)的研究人員,首次將一種被稱為鐵酸鉍(BFO)的材料作為一個(gè)單晶體集成到一個(gè)硅片上,向制造新一代多功能智能設(shè)備邁出了關(guān)鍵一步。

鐵酸鉍具有鐵磁性和鐵電性雙重性能,這意味著它能夠被通過(guò)其中的電流磁化。鐵酸鉍的潛在應(yīng)用領(lǐng)域包括新磁性存儲(chǔ)設(shè)備、智能傳感器和自旋電子學(xué)技術(shù)等。

將鐵酸鉍作為一個(gè)單晶體集成在硅基板上,通過(guò)控制從鐵酸鉍中泄漏到硅基上的電荷數(shù)量,可以使其發(fā)揮更大效率。研究人員發(fā)現(xiàn),集成在硅基上的鐵酸鉍晶體在外延生長(zhǎng)過(guò)程中能夠與錳酸鍶鑭(LSMO)電極很好地匹配,且可以使用小到4伏特的電流來(lái)關(guān)閉鐵酸鉍磁場(chǎng)的兩極,這與現(xiàn)有集成電路需要的電壓相當(dāng)。這對(duì)開(kāi)發(fā)功能技術(shù)非常重要,因?yàn)楦唠妷汉痛艌?chǎng)不切實(shí)際并且需要消耗更多能量,會(huì)損害和中斷電子功能。

研究人員還發(fā)現(xiàn),一個(gè)低強(qiáng)度的外部磁場(chǎng)也能關(guān)閉鐵酸鉍的兩極,而且,由于外部磁場(chǎng)不會(huì)在鐵酸鉍中產(chǎn)生熱量,這將使它在某些應(yīng)用中顯得更為重要。

“這項(xiàng)工作意味著我們現(xiàn)在能夠開(kāi)發(fā)出對(duì)數(shù)據(jù)具有更快感測(cè)、處理和反應(yīng)能力的智能設(shè)備,這些過(guò)程能發(fā)生在同一個(gè)芯片上,即數(shù)據(jù)不需要被中轉(zhuǎn)到其他地方。”項(xiàng)目主要負(fù)責(zé)人、北卡羅來(lái)納州立大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)教授杰伊·納拉揚(yáng)解釋說(shuō)。

該研究項(xiàng)目得到了美國(guó)國(guó)家研究委員會(huì)和陸軍研究辦公室資助,成果發(fā)表于近期出版的《納米通訊》在線版上。

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