中國(guó)儲(chǔ)能網(wǎng)訊：哈梅林太陽(yáng)能研究所（ISFH）和漢諾威萊布尼茲大學(xué)的電子材料及器件研究所（MBE）已經(jīng)成功完成“CHIP”項(xiàng)目。該項(xiàng)目以工業(yè)離子注入n型PERT（鈍化發(fā)射極和背面電池，后共摻雜）太陽(yáng)能電池來(lái)提升電池的轉(zhuǎn)化效率。
在CHIP項(xiàng)目中，植入損傷退火的驅(qū)動(dòng)機(jī)制已經(jīng)通過(guò)科學(xué)檢查，其中特別關(guān)注非晶硼和非晶化BFX植入物。由于光伏注入機(jī)一般不配備大規(guī)模分離器，因此，主要是植入BF2，而不是基本的硼。
退火過(guò)程處理工藝已經(jīng)被應(yīng)用于工業(yè)n型PERT電池處理過(guò)程當(dāng)中，處理過(guò)程相當(dāng)精簡(jiǎn)：156毫米×156個(gè)毫米大的n型直拉晶片經(jīng)過(guò)雙面紋理后，前側(cè)注入硼或BF2，后側(cè)注入磷。注入損傷經(jīng)過(guò)高溫退火（共退火），而B(niǎo)F2的使用使得退火所需的溫度大大降低。
退火后，前側(cè)是被氧化鋁/氮化硅疊層鈍化，后側(cè)被氮化硅鈍化。接著，在正面和背面進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，然后進(jìn)行共燒。利用細(xì)線(xiàn)印刷技術(shù)白銀消費(fèi)量可減少到最低限度。（Tina 譯）
